中国晶圆厂最高几纳米？
目前，中国大陆的极紫外线（EUV）光刻装备国产化进程正在加速推进。在近日举办的2021国际电子电路产业大会上，来自中科院微电子所的“极紫外先进封装激光制造关键技术研究”项目展示了6.4nm波长的极紫外线光源，这一装置可实现对晶圆级集成电路（WLCSP）和系统级集成电路（SOC）芯片的加工。
报道显示，该技术实现了脉冲功率大于5000瓦、峰值功率15千瓦以上的高能密度的可调脉宽超短光子束输出；建立了波长为6.4纳米的超分辨率光谱分析方法，测量了脉冲能量的分布，发现了能量离散的问题并加以解决，提高了光束的质量；研制了高精度扫描光学平台和高性能电子学平台，实现了对IC器件的高效成像和快速分类。
上述成果达到国际领先水平。 根据计划，基于这项技术，相关团队将探索实现更高速度、更高分辨力、更低成本的半导体集成创新，进而填补国内高端IC制造领域的空白。 有业内人士指出，作为国家科技重大专项，这架“隐形飞机”的意义不仅仅在于掌握了EUV的核心技术，而且实现了从跟跑到并跑的突破。 不过值得关注的是，这架“隐形飞机”并未完成“造出来”的任务——能否量产犹未可知。因为研发阶段是否发生成本超支尚不可知，而量产所需的单台设备及维护成本均是非同小可。虽然能够造出EUV光刻装备意味着中国在高精度光学器件领域有了颠覆性的突破，但是与ASML等巨头相比，仍存在较大差距。
实际上，早在2013年，我国就曾引进过一套EUV光刻设备。但可惜的是，由于当时的芯片行业处于产能过剩状态，同时受到欧美技术封锁的影响，这套设备一直没有能够发挥作用。直到5年之后，江苏华兴激光才利用这套设备成功试加工了几片硅片，宣告我国终于拥有了自己的EUV光源，但这距离真正能够商用化还差得远。 而此次亮相的6.4nm EUV光源是否可以在未来达到商用化的要求，仍有待时间的检验。